DTA114ESA HT SEMI

Symbol Micros: TDTA114ESA HTSEMI
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 50V 100mA 300mW Through Hole TO-92S
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: HT
Gehäuse: TO92S
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Max. Kollektor-Strom [A]: 50mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: HT
Gehäuse: TO92S
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 30
Max. Kollektor-Strom [A]: 50mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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