DTC123JET1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TDTC123jet
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
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Prebias NPN 200mW 100mA 50V Prebias NPN 200mW 100mA 50V
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: DTC123JET1G RoHS 8M. Gehäuse: SC75-3 (SOT416) Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1175 0,0536 0,0291 0,0217 0,0196
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Stromverstärkungsfaktor: 140
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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