DTC123JET1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TDTC123jet
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
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Prebias NPN 200mW 100mA 50V Prebias NPN 200mW 100mA 50V
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: DTC123JET1G RoHS 8M. Gehäuse: SC75-3 (SOT416) Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1189 0,0542 0,0295 0,0219 0,0198
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: DTC123JET1G Gehäuse: SC75-3 (SOT416)  
Externes Lager:
405000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0198
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: DTC123JET1G Gehäuse: SC75-3 (SOT416)  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0198
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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