DTC123JET1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TDTC123jet
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Prebias NPN 200mW 100mA 50V Prebias NPN 200mW 100mA 50V
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 140 |
| Gehäuse: | SC75-3 (SOT416) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: DTC123JET1G RoHS 8M.
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1190 | 0,0543 | 0,0295 | 0,0219 | 0,0198 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: DTC123JET1G
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Externes Lager:
21000 stk.
| Anzahl Stück | 9000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0198 |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 140 |
| Gehäuse: | SC75-3 (SOT416) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole