DTC143EET1G

Symbol Micros: TDTC143eet1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
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NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k NPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Stromverstärkungsfaktor: 30
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC75-3 (SOT416)
Stromverstärkungsfaktor: 30
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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