EMH3FHAT2R
Symbol Micros:
TEMH3FHAT2R
Gehäuse: SOT563
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Parameter
| Verlustleistung: | 150mW |
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Gehäuse: | SOT563 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Verlustleistung: | 150mW |
| Hersteller: | ROHM Semiconductor |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Gehäuse: | SOT563 |
| Grenzfrequenz: | 250MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 50V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | 2xNPN |
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