FCD5N60TM

Symbol Micros: TFCD5n60tm
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Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 950 mOhm; 4,6A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FCD5N60TM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9117 0,6070 0,5008 0,4524 0,4339
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 4,6A
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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