FCP11N60

Symbol Micros: TFCP11N60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 380 mOhm; 11A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCP11N60 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
950 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4694
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCP11N60 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4348
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FCP11N60 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5470
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT