FCP11N60
Symbol Micros:
TFCP11N60
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 380 mOhm; 11A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCP11N60
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
950 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4635 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCP11N60
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
350 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4291 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCP11N60
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2850 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5409 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 380mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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