FCP190N60E

Symbol Micros: TFCP190N60E
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 20.6A 600V 208W 0.190Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 109mOhm
Max. Drainstrom: 20,6A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 109mOhm
Max. Drainstrom: 20,6A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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