FCP190N60E
Symbol Micros:
TFCP190N60E
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 20.6A 600V 208W 0.190Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 109mOhm |
Max. Drainstrom: | 20,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FCP190N60E
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
700 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,0176 |
Widerstand im offenen Kanal: | 109mOhm |
Max. Drainstrom: | 20,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 208W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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