FCPF11N60

Symbol Micros: TFCPF11N60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 380 mOhm; 11A; 36W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FCPF11N60 RoHS Gehäuse: TO220FP  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,2120 1,8550 1,6496 1,5213 1,4746
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 380mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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