FDA28N50

Symbol Micros: TFDA28N50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET 500V 28A 310W 0.155Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDA28N50 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 450+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,7215
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Standard-Verpackung:
450
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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