FDA28N50

Symbol Micros: TFDA28N50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET 500V 28A 310W 0.155Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDA28N50 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
390 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,3175
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 155mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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