FDA38N30

Symbol Micros: TFDA38N30
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET 38A 300V 312W 0.085Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 312W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 312W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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