FDA59N30

Symbol Micros: TFDA59N30
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET 59A 300V 500W 0.056Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 56mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 500W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 56mOhm
Max. Drainstrom: 59A
Maximaler Leistungsverlust: 500W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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