FDA69N25

Symbol Micros: TFDA69N25
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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N-MOSFET 69A 250V 480W 0.041Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Max. Drainstrom: 69A
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDA69N25 Gehäuse: TO 3P  
Externes Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,4701
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 480mW
Max. Drainstrom: 69A
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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