FDB035AN06A0
Symbol Micros:
TFDB035AN06A0
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 80A 60V 310W 0.0035Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 80A |
Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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