FDB047N10
Symbol Micros:
TFDB047N10
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 120A 100V 375W 0.0047Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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