FDB050AN06A0

Symbol Micros: TFDB050AN06A0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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N-MOSFET 80A 60V 245W 0.005Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 245W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDB050AN06A0 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2035
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 245W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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