FDB110N15A

Symbol Micros: TFDB110N15A
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 92A 150V 234W 0.011Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 92A
Maximaler Leistungsverlust: 234W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 92A
Maximaler Leistungsverlust: 234W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD