FDB13AN06A0

Symbol Micros: TFDB13AN06A0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 13,5 mOhm; 62A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB13AN06A0 RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
194 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,5383 2,0779 1,8134 1,6481 1,5867
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB13AN06A0 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
21600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,5867
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMA

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole