FDB13AN06A0

Symbol Micros: TFDB13AN06A0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 10V; 13,5 mOhm; 62A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDB13AN06A0 RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
194 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4598 2,0136 1,7574 1,5972 1,5377
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 62A
Maximaler Leistungsverlust: 15W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMA

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