FDB2532
Symbol Micros:
TFDB2532
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 79A 150V 310W 0.016Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Max. Drainstrom: | 79A |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 16mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 310W |
| Max. Drainstrom: | 79A |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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