FDB2532

Name: TFDB2532 TFDB2532
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDB2532
Price: 1.2252 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDB2532

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-MOSFET 79A 150V 310W 0.016&ohm;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	79A
Maximaler Leistungsverlust:	310W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB2532 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

381600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3253

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB2532 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

20000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1081

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB2532 Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2252

Widerstand im offenen Kanal:	16mOhm
Max. Drainstrom:	79A
Maximaler Leistungsverlust:	310W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD