FDB2552

Symbol Micros: TFDB2552
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 37A 150V 150W 0.036Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD