FDB2572
Symbol Micros:
TFDB2572
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 29A 150V 135W 0.054Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 54mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB2572
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1015 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB2572
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
1600 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8637 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 54mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 135W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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