FDB2710
Symbol Micros:
TFDB2710
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 50A 250V 260W 0.0425Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 42,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 42,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 260W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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