FDB28N30TM

Symbol Micros: TFDB28n30tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Transistor-N-Channel-MOSFET; 300V; 10V; 129 mOhm; 28A; 250 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 129mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB28N30TM RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7889 1,3264 1,1597 1,0775 1,0517
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 129mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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