FDB28N30TM

Name: TFDB28n30tm TFDB28n30tm
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDB28n30tm
Price: 1.0535 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDB28n30tm

Gehäuse: D2PAK

Transistor-N-Channel-MOSFET; 300V; 10V; 129 mOhm; 28A; 250 W; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	129mOhm
Max. Drainstrom:	28A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	300V
Transistor-Typ:	MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB28N30TM RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7919	1,3287	1,1617	1,0794	1,0535

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB28N30TM Gehäuse: D2PAK

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3200 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0535

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB28N30TM Gehäuse: D2PAK

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14400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0535

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB28N30TM Gehäuse: D2PAK

Externes Lager:

11200 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0535

Widerstand im offenen Kanal:	129mOhm
Max. Drainstrom:	28A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	D2PAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	300V
Transistor-Typ:	MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD