FDB3652

Symbol Micros: TFDB3652
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 61A 100V 150W 0.016Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 61A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 16mOhm
Max. Drainstrom: 61A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD