FDB3682

Symbol Micros: TFDB3682
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 32A 100V 95W 0.036Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 36mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 95W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD