FDB44N25TM

Symbol Micros: TFDB44N25TM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 44A 250V 307W 0.069Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 69mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 307W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 92+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2607
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1427
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
1585 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1700
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 69mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 307W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD