FDB44N25TM

Symbol Micros: TFDB44N25TM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 44A 250V 307W 0.069Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 69mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 307W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 69mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 307W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD