FDB44N25TM
Symbol Micros:
TFDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 44A 250V 307W 0.069Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 69mOhm |
Max. Drainstrom: | 44A |
Maximaler Leistungsverlust: | 307W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 92+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,2607 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,1427 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
1585 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,1700 |
Widerstand im offenen Kanal: | 69mOhm |
Max. Drainstrom: | 44A |
Maximaler Leistungsverlust: | 307W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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