FDB44N25TM
Symbol Micros:
TFDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 44A 250V 307W 0.069Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 69mOhm |
| Max. Drainstrom: | 44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 307W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
19200 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0442 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB44N25TM
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0493 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 69mOhm |
| Max. Drainstrom: | 44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 307W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole