FDB52N20TM
Symbol Micros:
TFDB52n20tm
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 49mOhm |
| Max. Drainstrom: | 52A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 357W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0706 | 1,7278 | 1,5306 | 1,4344 | 1,3804 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 49mOhm |
| Max. Drainstrom: | 52A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 357W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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