FDB52N20TM

Symbol Micros: TFDB52n20tm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 357W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,0836 1,7387 1,5403 1,4434 1,3891
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
102 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,0836 1,7387 1,5403 1,4434 1,3891
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,0836 1,7387 1,5403 1,4434 1,3891
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Standard-Verpackung:
290
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3891
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3891
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDB52N20TM Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
4800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,4547
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 357W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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