FDB5800
Symbol Micros:
TFDB5800
Gehäuse: D2PAK
N-MOSFET 80A 60V 242W 0.006Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 242W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 80A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 242W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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