FDB5800

Symbol Micros: TFDB5800
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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N-MOSFET 80A 60V 242W 0.006Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 242W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDB5800 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,5078
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 242W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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