FDC3601N

Symbol Micros: TFDC3601N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
2N-MOSFET 1A 100V 0.7W 0.5Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD