FDC3601N

Symbol Micros: TFDC3601N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
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2N-MOSFET 1A 100V 0.7W 0.5Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC3601N Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1733
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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