FDC3612

Symbol Micros: TFDC3612
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
N-MOSFET 2.6A 100V 0.8W 0.125Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD