FDC5612

Symbol Micros: TFDC5612
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 94mOhm; 4,3A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 94mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 94mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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