FDC5614P

Symbol Micros: TFDC5614P
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Gehäuse: SSOT6L
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 3A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Max. Drainstrom: 3A
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC5614P Pbf .564 Gehäuse: SSOT6L  
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4432 0,2449 0,1936 0,1756 0,1700
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Max. Drainstrom: 3A
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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