FDC5614P

Name: TFDC5614P TFDC5614P
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDC5614P
Price: 0.1956 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDC5614P

Gehäuse: SSOT6L

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 190 mOhm; 3A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SSOT6L
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC5614P Pbf .564 Gehäuse: SSOT6L

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,4442	0,2455	0,1940	0,1760	0,1704

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC5614P Gehäuse: SSOT6L

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45000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1876

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC5614P Gehäuse: SSOT6L

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2900 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2749

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC5614P Gehäuse: SSOT6L

Externes Lager:

663000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1740

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	SSOT6L
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD