FDC5614P

Symbol Micros: TFDC5614P c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT6L
60V 3A 105m?@10V,3A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel MOSFET YFW3P06LI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD