FDC5614P

Symbol Micros: TFDC5614P c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT6L
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60V 3A 105m?@10V,3A 1.6W 3V@250uA 1 Piece P-Channel MOSFET YFW3P06LI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: YFW3P06LI RoHS Gehäuse: SSOT6L Datenblatt
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3739 0,2055 0,1615 0,1496 0,1434
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 3,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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