FDC608PZ

Symbol Micros: TFDC608PZ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 43mOhm; 5,8A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC608PZ RoHS .608Z Gehäuse: TSOT23-6 t/r  
Auf Lager:
230 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5902 0,3739 0,2939 0,2657 0,2563
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Standard-Verpackung:
10/250
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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