FDC610PZ

Symbol Micros: TFDC610PZ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
P-MOSFET 4.9A 30V 0.8W 0.042Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 4,9A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD