FDC6303N

Symbol Micros: TFDC6303N
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Gehäuse: TSOT23-6
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2N-MOSFET 0.68A 25V 0.7W 0.45Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 680mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC6303N Gehäuse: TSOT23-6  
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Nettopreis (EUR) 0,1355
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 680mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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