FDC6305N

Symbol Micros: TFDC6305N
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Gehäuse: TSOT23-6
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2N-MOSFET 2.7A 20V 0.7W 0.08Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC6305N Gehäuse: TSOT23-6  
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15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1749
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Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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