FDC6310P

Symbol Micros: TFDC6310P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
2P-MOSFET 2.2A 20V 0.7W 0.125Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 125mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD