FDC6318P

Symbol Micros: TFDC6318P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
2P-MOSFET 2.5A 12V 0.7W 0.090Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC6318P Gehäuse: TSOT23-6  
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: 2xP-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD