FDC6420C SSOT-6

Symbol Micros: TFDC6420c

Gehäuse: SSOT6L

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C; Ähnlich zu: FDC6420C-VB;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	184mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	960mW
Gehäuse:	SSOT6L
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6420C RoHS Gehäuse: SSOT6L

Auf Lager:

2975 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2033	0,8440	0,7163	0,6548	0,6336

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6420C Gehäuse: SSOT6L

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6336

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC6420C Gehäuse: SSOT6L

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6336

Widerstand im offenen Kanal:	184mOhm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	960mW
Gehäuse:	SSOT6L
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD