FDC6420C SSOT6 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TFDC6420c TEC
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Gehäuse: SSOT6L
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N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 106mOhm/184mOhm; 3A/2,2A; 960 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SSOT6L
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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