FDC642P

Symbol Micros: TFDC642P

Gehäuse: TSOT23-6

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDC642P-F085; FDC642P-F085P;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC642P Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1637

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC642P Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1126

Widerstand im offenen Kanal:	100mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD