FDC642P

Symbol Micros: TFDC642P
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Gehäuse: TSOT23-6
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 100 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDC642P-F085; FDC642P-F085P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC642P Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1124
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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