FDC645N
Symbol Micros:
TFDC645N
Gehäuse: TSOT23-6
N-MOSFET 5.5A 30V 0.8W 0.026Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole