FDC655BN
Symbol Micros:
TFDC655BN
Gehäuse: TSOT23-6
N-MOSFET 6.3A 30V 0.8W 0.025Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC655BN
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
39000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1297 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDC655BN
Gehäuse: TSOT23-6
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1268 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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