FDC6561AN

Symbol Micros: TFDC6561AN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2N-MOSFET 2.5A 30V 0.7W 0.095Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC6561AN Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
72000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1850
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC6561AN Gehäuse: TSOT23-6  
Externes Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2840
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 95mOhm
Max. Drainstrom: 2,5A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole