FDC658AP

Symbol Micros: TFDC658AP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC658AP RoHS Gehäuse: TSOT23-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1100+
Nettopreis (EUR) 0,3321 0,2180 0,1563 0,1366 0,1279
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Standard-Verpackung:
1100
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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