FDC658AP

Name: TFDC658AP TFDC658AP
Brand: Fairchild
SKU: TFDC658AP
Price: 0.1273 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDC658AP

Gehäuse: TSOT23-6

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 75 mOhm; 4A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDC658AP RoHS Gehäuse: TSOT23-6 t/r Datenblatt

Auf Lager:

4 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1100+
Nettopreis (EUR)	0,3306	0,2170	0,1556	0,1360	0,1273

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC658AP Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1760

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC658AP Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

171000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1585

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	1,6W
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD