FDC658P
Symbol Micros:
TFDC658P
Gehäuse: TSOT23-6
P-MOSFET 4A 30V 0.8W 0.05Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 50mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 800mW |
| Gehäuse: | TSOT23-6 |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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