FDC855N

Name: TFDC855N TFDC855N
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDC855N
Price: 0.1219 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDC855N

Gehäuse: TSOT23-6

N-MOSFET 6.1A 30V 0.8W 0.27&ohm;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	27mOhm
Max. Drainstrom:	6,1A
Maximaler Leistungsverlust:	800mW
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC855N Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1303

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC855N Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1221

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDC855N Gehäuse: TSOT23-6

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1219

Widerstand im offenen Kanal:	27mOhm
Max. Drainstrom:	6,1A
Maximaler Leistungsverlust:	800mW
Gehäuse:	TSOT23-6
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD