FDC8601

Symbol Micros: TFDC8601
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
N-MOSFET 2.7A 100V 0.8W 0.109Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 109mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDC8601 Gehäuse: TSOT23-6  
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Nettopreis (EUR) 0,5825
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 109mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 800mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD