FDC8602

Symbol Micros: TFDC8602
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOT23-6
2N-MOSFET 1.2A 100V 0.69W 0.35Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 690mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 690mW
Gehäuse: TSOT23-6
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD