FDD13AN06A0 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD13an06a0
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 34 mOhm; 50A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 34mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 34mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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