FDD13AN06A0 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD13an06a0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 34 mOhm; 50A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Max. Drainstrom: 50A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD13AN06A0 RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,6870 1,3370 1,1387 1,0453 0,9917
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Max. Drainstrom: 50A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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